| dc.contributor.advisor | Κωστής, Ιωάννης | |
| dc.contributor.author | Τρανταλίδης, Στυλιανός | |
| dc.date.accessioned | 2017-11-08T10:19:28Z | |
| dc.date.available | 2017-11-08T10:19:28Z | |
| dc.date.issued | 2017-09-20 | |
| dc.identifier.uri | http://okeanis.lib2.uniwa.gr/xmlui/handle/123456789/3877 | |
| dc.description.abstract | Στην παρούσα πτυχιακή εργασία αναπτύσσουμε λεπτά υμένια οξειδίου του βαναδίου με τη μέθοδο της χημικής εναπόθεσης από ατμούς (ΧΕΑ) σε υποστρώματα χαλκού (Cu), σε υποστρώματα οξειδωμένου πυριτίου (Si) καλυπτόμενα από λεπτά υμένια ΧΕΑ βολφραμίου (W) και σε υποστρώματα γυαλιού καλυπτόμενα με υμένια οξειδίου του ινδίου-κασσιτέρου (ITO) σε ατμοσφαιρική πίεση. Οι εναποθέσεις υμενίων οξειδίου του βαναδίου έγιναν στο αντίστοιχο σύστημα εναπόθεσης του εργαστηρίου CVD του Ινστιτούτου Μικροηλεκτρονικής του Εθνικού Κέντρου Έρευνας Φυσικών Επιστημών ‘’Δημόκριτος’’. Έγιναν εναποθέσεις σε διαφορετικές θερμοκρασίες υποστρώματος από 200 οC έως 400 οC και μελετήσαμε την επιφανειακή μορφολογία με ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM). Στα αναπτυχθέντα υμένια έγινε χαρακτηρισμός μέσω μετρήσεων περίθλασης με ακτίνες Χ και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός με σκοπό το καθορισμό των ιδανικών συνθηκών εναπόθεσης και λειτουργίας ώστε να ευνοείται ο σχηματισμός οξειδίου του βαναδίου (VOx) και η εμφάνιση αντιστρεπτών μεταπτώσεων από μέταλλο σε μονωτή για την ανάδειξη των αισθητηριακών ικανοτήτων τους. | el |
| dc.format.extent | 77 | el |
| dc.language.iso | el | el |
| dc.publisher | Α.Ε.Ι. Πειραιά Τ.Τ. | el |
| dc.subject | TPSH::Τεχνολογία | el |
| dc.title | Μεταλλικά οξείδια για χημική ανίχνευση | el |
| dc.title.alternative | Metal oxides for chemical sensing | el |
| dc.type | Πτυχιακή εργασία | el |
| dc.contributor.committee | Ραγκούση, Μαρία | |
| dc.contributor.committee | Σταθόπουλος, Νικόλαος | |
| dc.contributor.committee | Κωστής, Ιωάννης | |
| dc.contributor.department | Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών Τ.Ε. | el |
| dc.contributor.faculty | Σχολή Τεχνολογικών Εφαρμογών | el |
| dc.subject.keyword | Μέταλλα | el |
| dc.subject.keyword | Οξείδιο του βαναδίου | el |
| dc.description.abstracttranslated | In this undergraduate work vanadium oxide thin films were chemically vapor deposited (CVD) on cupper (Cu), on oxidized silicon (Si) substrates covered with CVD tungsten (W) thin films and on glass substrates covered with indium tin oxide (ITO) films at atmospheric pressure. The vanadium oxide depositions were carried out in the respective deposition system of CVD laboratory in the Institute of Microelectronics of N.C.S.R ‘Demokritos’. Depositions were carried out at different temperatures varying between 200 οC and 400 οC, and we studied the surface morphology with scanning electron microscopy (SEM). The formed films were characterized with X-ray diffraction and I-V measurements in order to define the appropriate conditions and functions which support the formation of vanadium oxides (VOx) and consequently metal-insulator reversible transition to exhibit their sensing abilities. | el |
